Schmalband Interferenzfilter, als ein Bandpassfilter, hat die wellenlängenselektive Eigenschaft aufgrund des Interferenzeffektes von metallischer mehrlagiger Elektrolyt-Beschichtung. Seine halbe Bandbreite reicht von 1mm bis 40mm. Als Alternative zu den ausgedehnten optischen Spektrometern (wie z.B.: optisches Gitter ), kann der Schmalband-Interferenzfilter weiter für optische Experimente und Industriebereich benutzt werden.
Standard:
Beschichtungstechnik: Ionenstrahl unterstützte Deposition
Reichweite der Beschichtung: 200-2300nm
Optische Dichte: OD4@200-1200nm und OD3@1200-1700
Höchsttransmission: 15%-85%
Dimension: ø11.ø12.ø12.7.ø15.ø20.ø50 und etc.
Zentralwellenlänge: 340.365.405.450.492.546.578.630.670.690.750.780.808.850.905.940.1064. 1320.1550.1572
Minimale Größe: Φ2mm oder 2mm×2mm
Maximale Größe: Φ50mm oder 55×55mm
Oberflächenqualität: 80/50 scratch/dig pro Mil-O-13830A
Zerstörschwelle: 20J/cm2, 10ns Puls
Technische Parameter
| Zentralwellenlänge(nm) | FWHM(nm) | Höchsttransmission(%) | Durchschnittliche Verblockung |
| 337.1±2 | 10±2 | T＞15% | OD5@200-1200nm |
| 355±2 | 10±2 | T＞15% | OD5@200-1200nm |
| 380±2 | 10±2 | T＞70% | OD5@200-1200nm |
| 410±2 | 10±2 | T＞70% | OD4@200-1100nm |
| 450±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 460±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 490±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 510±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 540±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 655±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 670±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 690±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 700±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 750±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 780±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1100nm |
| 808±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1200nm |
| 850±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1200nm |
| 905±2 | 7±4 | T＞85% | OD4@200-1200nm |
| 940±2 | 12±4 | T＞80% | OD4@200-1200nm |
| 1064±2 | 10-20±2 | T＞80% | OD4@200-1200nm/OD3@1200-1700nm |
| 1152±2 | 10±2 | T＞80% | OD4@200-1200nm/OD3@1200-1700nm |
| 1320±2 | 30±2 | T＞80% | OD4@200-1200nm/OD3@1200-1700nm |
| 1532±2 | 30±2 | T＞80% | OD4@200-1200nm/OD3@1200-1700nm |
| 1550±2 | 30±2 | T＞80% | OD4@200-1850nm |
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